หน่วยความจำแบบไดนามิกแรนดอมเข้าถึง (DRAM) คืออะไร

หน่วยความจำแบบไดนามิกแรนดอมเข้าถึง (DRAM) คืออะไร

หน่วยความจำแบบเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิก (DRAM) ซึ่งรู้จักกันในชื่อ RAM แบบไดนามิก เป็นชนิดของหน่วยความจำเซมิคอนดักเตอร์ที่ไม่คงทน ซึ่งมักใช้ในอุตสาหกรรม PCB โดยเฉพาะในอุปกรณ์คอมพิวเตอร์ เช่น คอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล แตกต่างจากหน่วยความจำแบบเข้าถึงโดยสุ่มแบบสถิต (SRAM) ซึ่งต้องการทรานซิสเตอร์หกตัวต่อบิต DRAM ใช้ทรานซิสเตอร์ตัวเดียวและตัวเก็บประจุตัวเดียวต่อบิต ทำให้ประหยัดพื้นที่มากขึ้น

ลักษณะเด่นของ DRAM คือธรรมชาติที่เปลี่ยนแปลงได้ ซึ่งจำเป็นต้องทำการรีเฟรชเป็นประจำเพื่อรักษาข้อมูลที่เก็บไว้ สาเหตุนี้มาจากแนวโน้มของตัวเก็บประจุที่ใช้ใน DRAM ที่จะสูญเสียประจุไปตามเวลา เพื่อป้องกันการรั่วไหลของประจุ กระบวนการรีเฟรชจึงเกี่ยวข้องกับการอ่านและเขียนข้อมูลกลับเข้าไปในตำแหน่งเดิม ซึ่งเป็นการชาร์จประจุใหม่ให้กับตัวเก็บประจุและรักษาข้อมูลไว้

DRAM มีความหนาแน่นสูงกว่าหน่วยความจำประเภทอื่น เช่น SRAM โดยการเก็บข้อมูลแต่ละบิตในตัวเก็บประจุแยกกัน DRAM จึงสามารถรองรับข้อมูลได้มากขึ้นในพื้นที่ทางกายภาพที่เล็กลง นอกจากนี้ DRAM ยังมีต้นทุนการผลิตที่คุ้มค่ากว่าทำให้เป็นตัวเลือกยอดนิยมสำหรับโมดูลหน่วยความจำในแล็ปท็อปและเดสก์ท็อป

DRAM ถือเป็นหน่วยความจำแบบ volatile ซึ่งหมายความว่าข้อมูลที่เก็บไว้จะสูญหายไปค่อนข้างรวดเร็วเมื่อแหล่งจ่ายไฟถูกตัดออก ซึ่งแตกต่างจากหน่วยความจำแบบ non-volatile เช่น Flash memory ที่เก็บข้อมูลไว้แม้เมื่อปิดแหล่งจ่ายไฟ